在当今半导体制造领域,2.5D/3D 封装技术作为前沿的先进封装工艺,实现方案丰富多样。它涵盖了芯片减薄、芯片键合、引线键合、倒装键合、TSV、塑封、基板、引线框架、载带、晶圆级薄膜工艺等多种类型,并且会根据不...
TSV 是先进封装技术里一种至关重要的垂直互连技术,通过在芯片内部打通通道,实现电气信号的垂直传输。这一技术可显著提高芯片之间的数据传输效率,减少信号延迟,降低功耗,同时提升封装的集成密度。工作原理TSV 基...
JEDEC在1月为宽I/O移动DRAM发布的标准使用穿透硅通孔(TSV)在三维(3D)集成电路上连接DRAM和逻辑。凭借其512位宽的数据接口,在不增加功耗的前提下,JESD229宽I/O单倍数...
分类:其它 时间:2012-06-01 阅读:309 关键词:宽I/O标准将推动TSV 3D堆叠性能
近来,随着嵌入式移动终端和移动通信设备上的应用日益丰富,运算能力和智能化程度的不断提高,如何让用户能在终端设备操作过程中更加简便、快捷和灵活地使用各种业务,已经成为嵌入式设备突破的关键。坚持以市场为导...
分类:嵌入式系统/ARM技术 时间:2011-09-04 阅读:2869 关键词:嵌入式
随着科学技术快速的发展,电接枝技术在各个当中应用。3D-IC设计者希望制作出高深宽比(HAR>10:1)硅通孔(TSV),从而设计出更小尺寸的通孔,以减小TSV通孔群在硅片上的占用空间,最终改进信号的完整性。事实上,...
分类:其它 时间:2011-08-28 阅读:1991
ST推出电池供电设备用宽带CMOS输入运算放大器TSV911
ST推出两个新系列的轨对轨高带宽增益积(GBP)的运算放大器,新产品的速度电流比十分优异,采用节省空间的紧凑型封装,可满足传感器信号调节以及电池供电和紧凑型便携应用的需求。TSV911/2/4系列提供8MHz的增益带宽积...
分类:模拟技术 时间:2007-08-02 阅读:2252 关键词:ST推出电池供电设备用宽带CMOS输入运算放大器TSV91110008MHZ20MHZSO14TSSOP14SOT23-5