在当今半导体制造领域，2.5D/3D 封装技术作为前沿的先进封装工艺，实现方案丰富多样。它涵盖了芯片减薄、芯片键合、引线键合、倒装键合、TSV、塑封、基板、引线框架、载带、晶圆级薄膜工艺等多种类型，并且会根据不...
TSV 是先进封装技术里一种至关重要的垂直互连技术，通过在芯片内部打通通道，实现电气信号的垂直传输。这一技术可显著提高芯片之间的数据传输效率，减少信号延迟，降低功耗，同时提升封装的集成密度。工作原理TSV 基...
JEDEC在1月为宽I/O移动DRAM发布的标准使用穿透硅通孔（TSV）在三维（3D）集成电路上连接DRAM和逻辑。凭借其512位宽的数据接口，在不增加功耗的前提下，JESD229宽I/O单倍数...
分类：其它 时间：2012-06-01 阅读：309 关键词：宽I/O标准将推动TSV 3D堆叠性能
近来，随着嵌入式移动终端和移动通信设备上的应用日益丰富，运算能力和智能化程度的不断提高，如何让用户能在终端设备操作过程中更加简便、快捷和灵活地使用各种业务，已经成为嵌入式设备突破的关键。坚持以市场为导...
分类：嵌入式系统/ARM技术 时间：2011-09-04 阅读：2870 关键词：嵌入式
随着科学技术快速的发展，电接枝技术在各个当中应用。3D-IC设计者希望制作出高深宽比（HAR>10:1）硅通孔（TSV），从而设计出更小尺寸的通孔，以减小TSV通孔群在硅片上的占用空间，最终改进信号的完整性。事实上，...
分类：其它 时间：2011-08-28 阅读：1991
ST推出电池供电设备用宽带CMOS输入运算放大器TSV911
ST推出两个新系列的轨对轨高带宽增益积(GBP)的运算放大器，新产品的速度电流比十分优异，采用节省空间的紧凑型封装，可满足传感器信号调节以及电池供电和紧凑型便携应用的需求。TSV911/2/4系列提供8MHz的增益带宽积...
分类：模拟技术 时间：2007-08-02 阅读：2253 关键词：ST推出电池供电设备用宽带CMOS输入运算放大器TSV91110008MHZ20MHZSO14TSSOP14SOT23-5
